سامسونج تستهدف 70% عائدًا من عملية GAA بدقة 3 نانومتر ولكن تحقق الثلث فقط: هل تعيش العملاق الكوري في ظل تحديات غير مسبوقة؟
في السنوات الأخيرة، أصبحت تقنية 3 نانومتر في صناعة أشباه الموصلات محورًا رئيسيًا للتنافس بين الشركات الكبرى،أظهرت شركة سامسونج ريادتها في هذا المجال من خلال اعتماد تقنية Gate-All-Around (GAA)،ومع ذلك، يخضع الإنتاج حاليًا للتحديات التي تؤثر على العوائد المستهدفة،يشير تقرير حديث من كوريا الجنوبية إلى أن أهداف سامسونج قد لا تتحقق كما هو مخطط له، مما يثير تساؤلات حول مستقبل هذه التقنية المبتكرة.
وفقًا للتقارير، حددت سامسونج هدفًا طموحًا لتحقيق عائد بنسبة 70٪ لعمليات GAA في الجيلين الأول والثاني من تقنية 3 نانومتر،وقد أظهر الجيل الأول، المعروف باسم “SF3E-3GAE”، نجاحًا نسبيًا بعائدات تتراوح بين 50-60٪،ورغم أن هذه النسبة كانت أقرب إلى الهدف، إلا أنها لا تزال غير كافية لتجعل التكنولوجيا جذابة من الناحية التجارية،وإلى جانب ذلك، ظهر عجز الإنتاج كعامل رئيسي وراء عدم اعتماد العملاء على هذه التقنية، حيث اتجهت شركة كوالكوم إلى تصنيع معالج Snapdragon 8 Elite باستخدام بنية TSMC 3 نانومتر “N3E”.
توقعات غير مشجعة للجيل الثاني
أما بالنسبة للجيل الثاني من عملية تصنيع 3 نانومتر من سامسونج، المعروف باسم “SF3-3GAP”، فتبدو التوقعات أقل تفاؤلاً،تشير التقارير إلى أن معدلات العائد لا تتجاوز 20٪، أي أقل من ثلث الهدف المحدد،يمثل هذا النقص تهديدًا لثقة العملاء في تقنية 3 نانومتر، وقد يدفعهم إلى الابتعاد نحو تقنيات أكثر رسوخًا من TSMC.
التحديات المرتبطة بالتكنولوجيا المستقبلية
يمثل مشروع GAA الخاص بسامسونج تحديًا كبيرًا، وقد تساهم هذه الصعوبات في توجيه موارد الشركة نحو تطوير تقنية 2 نانومتر المستقبلية،وعليه، تشير الشائعات إلى أن سامسونج تعمل على مجموعة شرائح جديدة تحت الاسم الرمزي “Ulysses”، حيث يتوقع أن تستخدم تقنية “SF2P” في طرازات Galaxy S القادمة.
في الختام، يظل مستقبل تقنية 3 نانومتر لسامسونج عرضة للتحديات،يتوقف نجاح الشركة في التغلب على هذه العقبات على مدى قدرتها على تحقيق عوائد أعلى وتعزيز ثقة العملاء،إذا لم تنجح سامسونج في تحسين أدائها، فقد يواجه معالج Exynos 2500 من الشركة خطر التراجع،من المهم مراقبة تطورات هذا السوق المتنافس وبحث كيفية تأثيرها على الاستراتيجيات المستقبلية للشركة.
